Infineon CoolMOS IPD90R1K2C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 5,1 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V
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Infineon CoolMOS IPD90R1K2C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 5,1 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon CoolMOS IPD90R1K2C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 5,1 A, 3-Pin TO-252 | |
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