IXYS X2-Class IXTH80N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247
About The .: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
IXYS X2-Class IXTH80N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 38 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS X2-Class IXTH80N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of IXYS X2-Class IXTH80N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247 | |
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