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Infineon ISC007N04NM6 ISC007N04NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 48 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

About The Infineon ISC007N04NM6 ISC007N04NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 48 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Gate-Schwellenspannung max.: 2

Infineon ISC007N04NM6 ISC007N04NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 48 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Gate-Schwellenspannung max.: 2.8V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon ISC007N04NM6 ISC007N04NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 48 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

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Specifications of Infineon ISC007N04NM6 ISC007N04NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 48 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

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STMicroelectronics Operationsverstärker Low Power SMD SOT-23, einzeln typ. 2,7 → 6 V, 5-Pin

STMicroelectronics Operationsverstärker Low Power SMD SOT-23, einzeln typ. 2,7 → 6 V, 5-Pin

45V/µs, Arbeitsfrequenz max.75 x 1. 2,7 → 6 V, 5-Pin, Stromversorgungs-Typ: Single, Anzahl der Kanäle pro Chip: 1, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.: 1.

    • STMicroelectronics Mikrocontroller STM32F1 ARM Cortex M3 32bit SMD 128 KB VFQFPN 36-Pin 72MHz 20 KB RAM USB, Anzahl der PWM-Einheiten: 1 x 16 bit, MPN: STM32F103TBU6
    • STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 53.5V 28.9V min., 2-Pin, SMD 26V max DO-214AC (SMA), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 400W, Impulsspitzen-Strom max.: 43A, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Abmessungen: 4.6 x 2.9 x 2.45mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SMAJ26CA-TR
    • Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 60.4kΩ ±1% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402FR-0760K4L
    • Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 60.4kΩ ±1% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402FR-0760K4L

    Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 60.4kΩ ±1% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402FR-0760K4L

    4kΩ ±1% / 0.Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 60.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse.