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TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 100 NH 200mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 900MHz

About The 5mm, Gleichstromwiderstand max.TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 100 nH 200mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 900MHz, Tiefe: 0

TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 100 nH 200mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 900MHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 2Ω, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Qualitätsfaktor min.: 8, MPN: MLG1005SR10JT000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 100 NH 200mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 900MHz

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Specifications of TDK MLG1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 100 NH 200mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±5%, 900MHz

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