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Rockwell Automation Rockwell Micro 850 Starterpaket - Lite SPS CPU Starter Kit Für Micro 800-Controller 24 V Dc

About The Rockwell Automation Rockwell Micro 850 Starterpaket - Lite SPS CPU Starter Kit für Micro 800-Controller 24 V dc, Set beinhaltet: Ja, MPN: PN-558882

Rockwell Automation Rockwell Micro 850 Starterpaket - Lite SPS CPU Starter Kit für Micro 800-Controller 24 V dc, Set beinhaltet: Ja, MPN: PN-558882

Elektromechanik & Automation und Kabel > Automation > SPS & HMIs und Industriecomputer > SPS – Zentralbaugruppen

Rockwell Automation Rockwell Micro 850 Starterpaket - Lite SPS CPU Starter Kit Für Micro 800-Controller 24 V Dc

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Specifications of Rockwell Automation Rockwell Micro 850 Starterpaket - Lite SPS CPU Starter Kit Für Micro 800-Controller 24 V Dc

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Festo DSNU 195990 Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 40mm / Hub 25mm, Ausführung: Zweifach, MPN: DSNU-40-25-P-A
    • RS PRO IDS1102B Oszilloskop 2-Kanal Analog 100MHz, ISO-kalibriert USB, Oszilloskop Typ: Digitalspeicher, Serie: IDS1000, Kalibriert: ISOCAL, Stromversorgung: Netzbetrieb, Anzeigentyp: TFT LCD, Vertikalempfindlichkeit min.: 1mV/div, Vertikalempfindlichkeit max.: 10V/div, Zeitbasis min.: 5ns/div, Display Größe: 7Zoll, Zufalls-Abtastrate: 1 GS/s, Abmessungen: 384 x 127.3 x 208mm
    • Phoenix Contact SAC-3P-MR/1.5-542/M8FSSH SCOBK konfektioniertes Sensorkabel Buchse gerade / M12 Stecker gewinkelt,, Leiterquerschnitt: 0,25 mm², Länge: 1.5m, Mantelfarbe: Gelb, Mantelmaterial: PVC, Ausrichtung - Steckverbinder 2: abgewinkelt, MPN: 1406026
    • STMicroelectronics MDmesh STF26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • STMicroelectronics MDmesh STF26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 35 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C