Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm
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Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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