reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon HEXFET IRFR120ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 0,19 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon HEXFET IRFR120ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,19 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRFR120ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon HEXFET IRFR120ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon HEXFET IRFR120ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8,7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties

Rating :- 9.81 /10
Votes :- 39