NVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 X 342 X 128mm, Für Gehäuse AF

Name: NVent HOFFMAN - NVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 X 342 X 128mm, Für Gehäuse AF, Länge: 2mm, Breite: 342mm, Material: Weichstahl, MPN: AFA02R5
Brand: nVent HOFFMAN
SKU: ABDV-194694
Price: 17.87 EUR
Availability: InStock

About The nVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 x 342 x 128mm, für Gehäuse AF, Länge: 2mm, Breite: 342mm, Material: Weichstahl, MPN: AFA02R5

nVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 x 342 x 128mm, für Gehäuse AF, Länge: 2mm, Breite: 342mm, Material: Weichstahl, MPN: AFA02R5

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TE Connectivity ROX Metalloxid Widerstand, Axial 270Ω ±5% / 9W, Zusammensetzung:: Keramik, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: ROX9J270R

Ohmite RESISTOR; 100 Kilohms; 1 W; 10%; 500 V; AXIAL LEADED; 1000 VAC; 0.035 IN., MPN: OA104KE

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Specifications of NVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 X 342 X 128mm, Für Gehäuse AF
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Last Updated January 23rd, 2025 11:42 pm

NVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 X 342 X 128mm, Für Gehäuse AF

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Siemens SIRIUS Innovation 3RH2 Leistungsschütz / 0,8 → 1,1 V Spule 3 Schließer + 1 Öffner, 690 V ac / 10 A, Leistung: 4 W, Konfiguration von Hilfskontakten: 3Schließer/1Öffner, Anschlusstyp: Schraubanschluss, Länge: 45mm, Breite: 73mm, Tiefe: 69.5mm, Steuerspannung: 24 V dc, Betriebstemperatur max.: +60°C, MPN: 3RH2131-2BB40

Siemens SIRIUS Innovation 3RH2 Leistungsschütz / 0,8 → 1,1 V Spule 3 Schließer + 1 Öffner, 690 V ac / 10 A.

Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 56kΩ ±1% / 0.6W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MRS25000C5602FCT00

6W.

Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.4mm

Infineon OptiMOS T IPB17N25S3100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263).

Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ14YJ222U

5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse.2kΩ ±5% / 0.

Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ14YJ222U

5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse.2kΩ ±5% / 0.Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.

NVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 X 342 X 128mm, Für Gehäuse AF

About The nVent HOFFMAN Anschlussplatte, 2 x 342 x 128mm, für Gehäuse AF, Länge: 2mm, Breite: 342mm, Material: Weichstahl, MPN: AFA02R5

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Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 56kΩ ±1% / 0.6W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MRS25000C5602FCT00

Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ14YJ222U

Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 2.2kΩ ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ14YJ222U