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IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264

About The : 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max

IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max.: 56 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20.29mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264

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