TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 8,2 nH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.5nH, 6GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 380mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Qualitätsfaktor min.: 7, MPN: MLK1005S8N2DT
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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 8,2 NH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.5nH, 6GHz
Specifications of TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 8,2 NH 350mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.5nH, 6GHz | |
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