Vishay EF SIHH125N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A, 23 A., 4-Pin PowerPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,125 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V
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Vishay EF SIHH125N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A, 23 A., 4-Pin PowerPAK 8 X 8
Specifications of Vishay EF SIHH125N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A, 23 A., 4-Pin PowerPAK 8 X 8 | |
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