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Onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB

About The onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.1mm, Betriebstemperatur max

onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB

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Onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB
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Flexicon LTP - C-S Messing Kabelrohr Befestigung Gerade, drehbar M32 32mm Nickelplattiert-Finish IP66, IP67, IP68, IP69K, Standards: BS EN IEC 61386, CE-konform, CSA-zertifiziert, Lloyd's Register Baumusterprüfung, REACH-konform, RoHS-konform, UL-Zulassung, Zur Verwendung mit: LTP-Leerrohrsysteme, MPN: LTP32-M32-S
    • Wurth Elektronik Abstandshalter: M3, Länge 60mm, Stahl, Außen/Innen, Sechskant, 5.5mm, Gewindelänge: 6mm, Finish: Verzinkt, MPN: 971600321
    • Yageo, Automotive, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 2.2μF ±10% / 10V dc, Gehäuse 0805 (2012M), AEC-Q200, Kapazität: 2.2µF, Spannung: 10V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: AC0805KKX7R6BB225
    • Schneider Electric Harmony XB4 Schlüsselschalterkopf 22mm 2 Positionen 458A Rastend IP66, IP67, IP69(IP69K), Schlüsselabzugsstellung: Alle, Schaltwinkel: 90°, Beleuchtet: Nein, Betriebstemperatur max.: +70°C, Lebensdauer mechanisch: 1000000, Better World-Produkt: Ja, Betriebstemperatur min.: -40°C, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: ZB4BG410
    • Wurth Elektronik WR-FAST Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 7-polig / 1-reihig, Raster 5.08mm, Ummantelt, MPN: 638207222007

    Wurth Elektronik WR-FAST Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 7-polig / 1-reihig, Raster 5.08mm, Ummantelt, MPN: 638207222007

    08mm, Ummantelt.Wurth Elektronik WR-FAST Leiterplatten-Stiftleiste Vertikal, 7-polig / 1-reihig, Raster 5.

    • Vishay MKT 1813 Folienkondensator 3.3μF ±10% / 160 V ac, 250 V dc, THT Raster 35mm, Kapazität: 3.3µF, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 31.5mm, Dielektrikum: Metallisiertes Polyester, Anschlussdurchmesser: 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +100°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Toleranz Plus: +10%, MPN: 14921F0GJSX13103KA
    • onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 47nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CGA3E2X8R1H473K080AA
    • onsemi QFET FQP2N60C N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 2 A 54 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 47nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CGA3E2X8R1H473K080AA