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TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

About The : -55°C, MPN: MLZ1608E4R7MT.TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1

TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 500mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MLZ1608E4R7MT

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

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Specifications of TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

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ABB LS72P12B11, Positionsschalter, MPN: 1SBV011012R1211
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    Carling Technologies Switch,SPDT,ON-NONE-ON,SPADE TerminalS.

    • Yageo, Automotive, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0, 1nF ±5% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), AEC-Q200, Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: AC0603JRNPO9BN102
    • Siemens Dimmer, 60-600W 230V 1-polig, 1 Auslass, MPN: 5TC8262

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    • ABB Ekip Dip LSI Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 2.5kA, MPN: ABB1SDA071752R1

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    5kA.ABB Ekip Dip LSI Emax2 Lastkreisüberwachung 4, 2.

    • Microchip MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 9 A 20V 5-Pin TO-220 60ns, MPN: TC4422CAT

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    • TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 500mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MLZ1608E4R7MT
    • Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 2A 800V SMD 1.15V DBLS 4-Pin 10μA Siliziumverbindung, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, Stoßspitzensperrstrom: 10µA, Abmessungen: 8.51 x 6.5 x 2.6mm, Länge: 8.51mm, MPN: DBLS206G RD
    • TDK SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 μH 350mA, 0603 Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 500mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MLZ1608E4R7MT
    • Taiwan Semiconductor Brückengleichrichter, 1-phasig 2A 800V SMD 1.15V DBLS 4-Pin 10μA Siliziumverbindung, Konfiguration: Single, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 50A, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, Stoßspitzensperrstrom: 10µA, Abmessungen: 8.51 x 6.5 x 2.6mm, Länge: 8.51mm, MPN: DBLS206G RD