Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23 | |
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