onsemi UniFET II FDT4N50NZU N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
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Onsemi UniFET II FDT4N50NZU N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Onsemi UniFET II FDT4N50NZU N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2 A, 3-Pin SOT-223 | |
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