Taiwan Semiconductor TSM025 TSM250NB06DCR MOSFET 60 V / 30 A, 8-Pin PDFN56, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Taiwan Semiconductor TSM025 TSM250NB06DCR MOSFET 60 V / 30 A, 8-Pin PDFN56
Specifications of Taiwan Semiconductor TSM025 TSM250NB06DCR MOSFET 60 V / 30 A, 8-Pin PDFN56 | |
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