Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

Name: Vishay? Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand Max.: 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 1.5V
Brand: Vishay
SKU: ABDV-200647
Price: 50.22 EUR
Availability: InStock

About The 5V.Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V

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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
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Last Updated January 12th, 2025 09:20 am

Vishay TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 127,5 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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