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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP4NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin TO-220

About The : 4.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP4NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP4NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP4NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin TO-220

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP4NK60Z N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin TO-220
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