onsemi PowerTrench FDMS86200DC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 40 A 125 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi PowerTrench FDMS86200DC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 40 A 125 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi PowerTrench FDMS86200DC N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 40 A 125 W, 8-Pin PQFN8 | |
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