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Onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 X 6

About The : ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max

onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 X 6

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Specifications of Onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 X 6

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Onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 X 6
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Wurth Elektronik WE-CNSW EMV Filter, 11 μH 450mA mit Ferrit-Kern, 1812 (4532M) Gehäuse 4.5mm / -30%, Tiefe: 3.2mm, Höhe: 2.8mm, Abmessungen: 4.5 x 3.2 x 2.8mm, Toleranz: -30 → +50%, Gleichstromwiderstand max.: 800mΩ, Serie: WE-CNSW SMD, Induktivitätsbauweise: Dual, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 744235110
    • Wago 232 Leiterplatten-Stiftleiste gewinkelt 20-polig / 1-reihig, Raster 5.08mm, Typ: PCB-Buchsenleiste, Anschlussart: Löten, MPN: 232-280
    • Vishay THT LED Rot 3 V, ± 60° 3 mm (T-1), Lichtstärke: 6 mcd, Anzahl der Pins: 2, Linsenform: Rund, Wellenlänge typ.: 625 nm, Abmessungen: 3.2 (Dia.) x 4.5mm, MPN: TLHR4605
    • onsemi NTMFD5C680NLT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 26 A 19 W, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Höhe: 1.05mm
    • onsemi NTMFD5C680NLT1G N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 26 A 19 W, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Höhe: 1.05mm