onsemi PowerTrench FDMS86263P P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 22 A 104 W, 8-Pin PQFN8, Drain-Source-Widerstand max.: 94 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi PowerTrench FDMS86263P P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 22 A 104 W, 8-Pin PQFN8
Specifications of Onsemi PowerTrench FDMS86263P P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 22 A 104 W, 8-Pin PQFN8 | |
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