DiodesZetex DMT10H072LFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4 A 1,1 W, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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DiodesZetex DMT10H072LFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4 A 1,1 W, 6-Pin U-DFN2020
Specifications of DiodesZetex DMT10H072LFDF-7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4 A 1,1 W, 6-Pin U-DFN2020 | |
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