Infineon CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 21.1mm
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Infineon CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS C3 SPW11N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A 156 W, 3-Pin TO-247 | |
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