STMicroelectronics ST STW70N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 68 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,036 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC
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STMicroelectronics ST STW70N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 68 A, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics ST STW70N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 650 V / 68 A, 3-Pin TO-247 | |
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