Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 W, Gleichstromverstärkung min.: 55, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 19 x 15.9 x 4.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
Specifications of Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin | |
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