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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH70N20Q3 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 70 A 690 W, 3-Pin TO-247

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    • XP Power DC/DC-Wandler 9W 9→ 18 V dc IN, 15V dc OUT / 600mA 1.6kV dc isoliert, Ausgangsspannung: 15V dc, Montagetyp: Durchsteckmontage, Isoliert: Ja, Gehäuse: SIP 8, Isolationsspannung: 1.6kV dc, Wirkungsgrad: 89%, MPN: ICZ0912S15