STMicroelectronics SCT SCTW100N65G2AG N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,105 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: SiC
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STMicroelectronics SCT SCTW100N65G2AG N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7
Specifications of STMicroelectronics SCT SCTW100N65G2AG N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 7-Pin H2PAK-7 | |
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