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Infineon CoolMOS CP IPA50R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin TO-220 FP

About The : 2.5V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon CoolMOS CP IPA50R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 199 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.65mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS CP IPA50R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin TO-220 FP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS CP IPA50R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin TO-220 FP

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Infineon CoolMOS CP IPA50R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin TO-220 FP
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Panasonic Dickschicht Widerstand 220Ω ±1% / 1W, 1020 Gehäuse, MPN: ERJB1AF221U

Panasonic Dickschicht Widerstand 220Ω ±1% / 1W, 1020 Gehäuse, MPN: ERJB1AF221U

Panasonic Dickschicht Widerstand 220Ω ±1% / 1W, 1020 Gehäuse.

    • KYOCERA AVX Capacitor, Ceramic;39pF;Chip;Case 0805;0+/-30ppm/degC;+/-5%;100WVDC;SMD;COG(NPO), MPN: 08051A390JAT2A

    KYOCERA AVX Capacitor, Ceramic;39pF;Chip;Case 0805;0+/-30ppm/degC;+/-5%;100WVDC;SMD;COG(NPO), MPN: 08051A390JAT2A

    KYOCERA AVX Capacitor, Ceramic;39pF;Chip;Case 0805;0+/-30ppm/degC;+/-5%;100WVDC;SMD;COG(NPO).

    • SMC C85 Pneumatikzylinder doppeltwirkend, Bohrung Ø 20mm / Hub 125mm, bis 1 MPa, Ausführung: Zweifach, Länge: 251mm, Endlagendämpfung: Luft, Abmessungen: 28 (Dia.) x 251mm, Absoluter Druck (max.): 1.5MPa, Durchmesser: 28mm, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Betriebstemperatur (min.): -10°C, Gewicht: 203g, MPN: CD85N20-125C-B
    • KOA RN73H,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±25ч/млн/°C, Betriebstemperatur min.: +85°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RN73H1JTTD1503B25
    • KOA RN73H,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 150kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±25ч/млн/°C, Betriebstemperatur min.: +85°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RN73H1JTTD1503B25