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Infineon OptiMOS 3 IPB020NE7N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : +175 °C.31mm, Betriebstemperatur max

Infineon OptiMOS 3 IPB020NE7N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.31mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS 3 IPB020NE7N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB020NE7N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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