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Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The 8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.8V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
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EAO Modularschalter Werkzeugkit, Set beinhaltet Lampenabzieher 1 Stk., MPN: 61-9740.0

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    • Huco Aluminium-Legierung Reduzierstück, Ø 10mm x 8.1mm, Wellen-Ø 8mm, -50°C→+120°C, MPN: 257.28
    • Socomec Serieller Device Server 2 Ethernet-Anschlüsse 1 serielle Ports RS485 115.2Kbit/s 50 → 100m 100Mbit/s, MPN: 48290222

    Socomec Serieller Device Server 2 Ethernet-Anschlüsse 1 serielle Ports RS485 115.2Kbit/s 50 → 100m 100Mbit/s, MPN: 48290222

    2Kbit/s 50 → 100m 100Mbit/s.Socomec Serieller Device Server 2 Ethernet-Anschlüsse 1 serielle Ports RS485 115.

    • TE Connectivity Amplimite HDF-20 Sub-D Steckverbinder Buchse abgewinkelt, 9-polig / Raster 2.77mm, Kabelmontage IDC, Nennstrom: 1.25A, Gehäusematerial: Stahl, Betriebsspannung: 250,0 V, Länge: 30.88mm, Breite: 18.61mm, Tiefe: 12.59mm, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Abmessungen: 30.88 x 18.61 x 12.59mm, MPN: 1658612-4
    • SMC AN Pneumatischer Schalldämpfer aus PE, mit R2 Stecker, 1MPa, Eingangs-Anschluss Typ: Mit Gewinde, Rauschpegelverringerung: 30dB(A), Betriebstemperatur (min.): +5°C, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Gehäusematerial: ADC, MPN: AN900-20
    • IKO Nippon Thompson IKO Nippon BWU Edelstahl Linearschiebeeinheit, Schiene 12mm x 20mm, Schlitten 12mm x 20mm, Hublänge: 16mm, MPN: BWU12-20

    IKO Nippon Thompson IKO Nippon BWU Edelstahl Linearschiebeeinheit, Schiene 12mm x 20mm, Schlitten 12mm x 20mm, Hublänge: 16mm, MPN: BWU12-20

    IKO Nippon Thompson IKO Nippon BWU Edelstahl Linearschiebeeinheit, Schiene 12mm x 20mm, Schlitten 12mm x 20mm.

    • Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Relpol R4N Monostabiles Relais, Steckrelais 4-poliger Wechsler 6A 110V ac Spule / 1.6W, Montage Typ: Steckanschluss, Rastend: Nein, Anschluss Typ: Steckbar, Schaltspannung AC max.: 250V, Schaltspannung DC max.: 24V dc, Länge: 27.4mm, Spulenwiderstand: 3450Ω, Kontaktmaterial: Silberlegierung, Tiefe: 21mm, Höhe: 35.5mm, MPN: R4N-2014-23-5110-WTL
    • Infineon SIPMOS BSP297H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 660 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Relpol R4N Monostabiles Relais, Steckrelais 4-poliger Wechsler 6A 110V ac Spule / 1.6W, Montage Typ: Steckanschluss, Rastend: Nein, Anschluss Typ: Steckbar, Schaltspannung AC max.: 250V, Schaltspannung DC max.: 24V dc, Länge: 27.4mm, Spulenwiderstand: 3450Ω, Kontaktmaterial: Silberlegierung, Tiefe: 21mm, Höhe: 35.5mm, MPN: R4N-2014-23-5110-WTL