Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The .Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 10 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +20 V, Länge: 6.25mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 45,5 A 25 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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| Category | |
| Instock | instock |
![Wurth Elektronik Würth Elektronik WA-CTIB Kabelhalter Stützfuß selbstklebend Nylon 19,1 mm x 4mm x 19.1mm, Material: Nylon 66, Farbe: Natur, Verhalten im Brandfall: Selbstverlöschend, Maße [L x B (x T)]: 19.1 x 19.1 x 4mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperaturbereich: -30 → +85 °C., Selbstklebend: Ja, MPN: 530909000](/op/android/logo.png){kind=logo}