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STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247

About The 15mm.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.15mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247

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