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Onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

About The : 4.: 0,224 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,224 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: SiC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

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Specifications of Onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4

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Onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4
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onsemi NTH NTHL160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: SiC
    • Hi-Bond HB 350 Doppelseitiges Stoffband, Weiß, -10°C bis +110°C, Stärke 0.05mm, 19mm x 50m, Trägermaterial: Gewebe, Klebebandtyp: Gewebeband, Haftfestigkeit: 4,3 N/cm, Zugfestigkeit: 8N/cm, MPN: HB 350 19mm x 50m
    • 3M 3000 Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 40-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 2.0A, Betriebsspannung: 1 kV AC, MPN: N3432-6302RB
    • Socomec COUNTIS Energiemessgerät LCD 90mm x 36mm / 1-phasig, MPN: 48503045

    Socomec COUNTIS Energiemessgerät LCD 90mm x 36mm / 1-phasig, MPN: 48503045

    Socomec COUNTIS Energiemessgerät LCD 90mm x 36mm / 1-phasig.

    • Siemens Motorschütz EKS 3S+1Ö AC-Bet. AC110V, 45-4, 3TG1001-1AG2

    Siemens Motorschütz EKS 3S+1Ö AC-Bet. AC110V, 45-4, 3TG1001-1AG2

    AC110V, 45-4, 3TG1001-1AG2, MPN: 3TG10011AG2.Siemens Motorschütz EKS 3S+1Ö AC-Bet.

    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 200Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: CPF0805B200RE
    • Schneider Electric LE1 Direktstarter 3-phasig 4 kW, 240 Vac, Automatik, IP Schutzart: IP65, Anzahl der Pole: 3P, Gesamtlänge: 160mm, Gehäuse: Ja, Gesamtbreite: 78mm, Gesamttiefe: 108mm, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: LE1M35U722
    • onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,224 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: SiC
    • Schneider Electric LE1 Direktstarter 3-phasig 4 kW, 240 Vac, Automatik, IP Schutzart: IP65, Anzahl der Pole: 3P, Gesamtlänge: 160mm, Gehäuse: Ja, Gesamtbreite: 78mm, Gesamttiefe: 108mm, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: LE1M35U722
    • onsemi NTH NTH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,224 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V, Transistor-Werkstoff: SiC