Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K0P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |