onsemi QFET FQPF2N80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A 35 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi QFET FQPF2N80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A 35 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of Onsemi QFET FQPF2N80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A 35 W, 3-Pin TO-220F | |
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