Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon 800V CoolMOS™ P7 IPD80R2K4P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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