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TDK MLK1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 NH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 16.9GHz

About The : 100mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.5mm, Gleichstromwiderstand max

TDK MLK1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 nH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 16.9GHz, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 100mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MLK1005S1N0ST000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

TDK MLK1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 NH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 16.9GHz

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of TDK MLK1005S SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 NH 500mA, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 16.9GHz

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