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Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 82 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /

About The Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 82 nH 150mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /, Tiefe: 0.: +125°C, Betriebstemperatur min

Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 82 nH 150mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Toleranz: ±5%, Gleichstromwiderstand max.: 1.6Ω, Resonanzfrequenz max.: 600MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CIH05T82NJNC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 82 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /

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Specifications of Samsung Electro-Mechanics CIHO5T SMD-Mehrschicht-Induktivität, 82 NH 150mA Mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm /

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