XP Power DTE06 DC/DC-Wandler 6W 48 V Dc IN, ±12V Dc OUT / ±250mA 3000 (Minimum)V Dc

Name: XP Power? XP Power DTE06 DC/DC-Wandler 6W 48 V Dc IN, ±12V Dc OUT / ±250mA 3000 (Minimum)V Dc, Ausgangsspannung: ±12V dc, Eingangsspannung: 18→ 75 V Dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Gehäuse: Gekapselt, Isolationsspannung: 3000 (Minimum)V dc, Tiefe: 26.5mm, Länge: 53mm, Breite: 34mm, Lastausregelung: ±0.5 (Typ.)%, Wirkungsgrad: 85%, MPN: DTE0648D12
Brand: XP Power
SKU: ABDV-224669
Price: 61.94 EUR
Availability: InStock

About The XP Power DTE06 DC/DC-Wandler 6W 48 V dc IN, ±12V dc OUT / ±250mA 3000 (Minimum)V dc, Ausgangsspannung: ±12V dc, Eingangsspannung: 18→ 75 V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Gehäuse: Gekapselt, Isolationsspannung: 3000 (Minimum)V dc, Tiefe: 26.5 (Typ

XP Power DTE06 DC/DC-Wandler 6W 48 V dc IN, ±12V dc OUT / ±250mA 3000 (Minimum)V dc, Ausgangsspannung: ±12V dc, Eingangsspannung: 18→ 75 V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Gehäuse: Gekapselt, Isolationsspannung: 3000 (Minimum)V dc, Tiefe: 26.5mm, Länge: 53mm, Breite: 34mm, Lastausregelung: ±0.5 (Typ.)%, Wirkungsgrad: 85%, MPN: DTE0648D12

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Stromversorgungen & Transformatoren > Spannungswandler > DC,DC-Wandler

RS PRO Thermoelement Typ K / +250°C, Fühler L 150mm, Kabel L. 5m, ø 7/0.2mm

Amphenol Limited Amphenol, 62GB MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 8-polig, Gerätemontage, Gehäuse 12, MIL-DTL-26482, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Anschlussart: Löten, Verbindungstyp: Bajonettkupplung, Gehäuseausrichtung: Gerade, Farbe: Oliv, Kontaktbeschichtung: Gold, Betriebstemperatur (max.): +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Gehäusebeschichtung: Zink Kobalt, MPN: 62GB-12E12-08SN

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Specifications of XP Power DTE06 DC/DC-Wandler 6W 48 V Dc IN, ±12V Dc OUT / ±250mA 3000 (Minimum)V Dc
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Last Updated February 5th, 2025 10:10 pm

XP Power DTE06 DC/DC-Wandler 6W 48 V Dc IN, ±12V Dc OUT / ±250mA 3000 (Minimum)V Dc

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Abracon Keramikresonator 3.58MHz ±0.5% 30Ω 30pF ±0,1% 3-Pin 6 x 3 x 1.5mm Oberflächenmontage ±0.4%, Frequenz-Alterung: ±0,1 %, Montage-Typ: SMD, Länge: 6mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Breite: 3mm, MPN: AWSCR-3.58CPLB-C30-T4

58MHz ±0.Abracon Keramikresonator 3.4%.5mm Oberflächenmontage ±0.

TDK NLFV-EF Drosselspule, 4,7 μH 210mA mit Ferrit-Kern, 1008 (2520M) Gehäuse 2.5mm / ±20%, 2.52MHz, Gehäuse-Form: SMD, Tiefe: 2mm, Höhe: 1.8mm, Abmessungen: 2.5 x 2 x 1.8mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 240mΩ, Resonanzfrequenz max.: 7.96MHz, Betriebstemperatur max.: +105°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: NLFV25T-4R7M-EF

5mm / ±20%, 2.52MHz.TDK NLFV-EF Drosselspule, 4,7 μH 210mA mit Ferrit-Kern, 1008 (2520M) Gehäuse 2.

EPCOS CLF6045NI-D Drosselspule, 470 μH 410mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6.3mm / ±20%, 100kHz, Tiefe: 6mm, Höhe: 4.5mm, Abmessungen: 6.3 x 6 x 4.5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 1.3Ω, MPN: B82562N4474M000

EPCOS CLF6045NI-D Drosselspule, 470 μH 410mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6.3mm / ±20%, 100kHz.

Vishay IRFI740GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 5,4 A 40 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay IRFI740GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 5,4 A 40 W, 3-Pin TO-220FP.

Vishay IRFI740GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 5,4 A 40 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay IRFI740GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 5,4 A 40 W, 3-Pin TO-220FP.

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Abracon Keramikresonator 3.58MHz ±0.5% 30Ω 30pF ±0,1% 3-Pin 6 x 3 x 1.5mm Oberflächenmontage ±0.4%, Frequenz-Alterung: ±0,1 %, Montage-Typ: SMD, Länge: 6mm, Betriebstemperatur max.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Breite: 3mm, MPN: AWSCR-3.58CPLB-C30-T4

EPCOS CLF6045NI-D Drosselspule, 470 μH 410mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 6045 Gehäuse 6.3mm / ±20%, 100kHz, Tiefe: 6mm, Höhe: 4.5mm, Abmessungen: 6.3 x 6 x 4.5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 1.3Ω, MPN: B82562N4474M000

Vishay IRFI740GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 5,4 A 40 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Vishay IRFI740GPBF N-Kanal, THT MOSFET 400 V / 5,4 A 40 W, 3-Pin TO-220FP, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +150 °C