Vishay SQ Rugged SQD50N04-4M5L-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQ Rugged SQD50N04-4M5L-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Vishay SQ Rugged SQD50N04-4M5L-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |