Infineon OptiMOS 3 IPP057N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 15.95mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS 3 IPP057N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPP057N08N3GXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |