Infineon OptiMOS 5 BSC009NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 1,35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +16 V, Länge: 5.49mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS 5 BSC009NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon OptiMOS 5 BSC009NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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