Infineon 600V CoolMOS™ CE IPU60R2K1CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,7 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 2.1 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon 600V CoolMOS™ CE IPU60R2K1CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,7 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
Specifications of Infineon 600V CoolMOS™ CE IPU60R2K1CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,7 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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