Infineon OptiMOS 2 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.75V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS 2 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 500 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon OptiMOS 2 BSS806NEH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 500 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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