Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK
About The Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK
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