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TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 220nF ±10% / 25V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)

About The : +150°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class II, Anschlussklemmentyp: Lot, MPN: C2012X8R1E224K125AA

TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 220nF ±10% / 25V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class II, Anschlussklemmentyp: Lot, MPN: C2012X8R1E224K125AA

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Keramik Vielschichtkondensatoren

TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 220nF ±10% / 25V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)

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Specifications of TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 220nF ±10% / 25V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)

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TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X8R, 220nF ±10% / 25V Dc, Gehäuse 0805 (2012M)
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HARTING SEK 18 Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 50-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 1.0A, MPN: 09185506904
    • JST XA Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 6-polig / 1-reihig, Raster 2.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss, 3.0A,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Zinn, Betriebsspannung: 250,0 V, MPN: BM06B-XASS-TF (LF)(SN)
    • FTDI Chip USB-Controller USB 2.0 28-Pin (5,5 V), TSSOP, ESD Schutz: Ja, MPN: FT260S-U
    • Infineon CoolSiC IMZA65R027M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon
    • Infineon CoolSiC IMZA65R027M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Transistor-Werkstoff: Silicon