Vishay Siliconix TrenchFET SQD40031EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The .: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay Siliconix TrenchFET SQD40031EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET SQD40031EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQD40031EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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