onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L., Drain-Source-Widerstand max.: 0,082 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
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Onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L.
Specifications of Onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L. | |
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