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Onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L.

About The : 0,082 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L., Drain-Source-Widerstand max.: 0,082 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L.

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Specifications of Onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L.

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Onsemi SUPERFET III NTBL082N65S3HF N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 8-Pin H-psof8L.
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