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Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Rating :- 9.33 /10
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Microchip Spannungsreferenz, 2.04V SOIC, 5,5 V max., Fest, 8-Pin, ±0.08 %, Serie, 30mA, Montage-Typ: SMD, Ausgangsspannung min.: 2,04 V, Ausgangsspannung max.: 2,05 V, Line-Regulation: 50 ppm/V, Load-Regulation: 40 ppm/mA (Senke), 70 ppm/A (Quelle), Abmessungen: 4.9 x 3.9 x 1.5mm, MPN: MCP1501-20E/SN
    • Amphenol connector,metal circ,wall recept,size 18,for 4#16 crimp pin contact,black finish, MPN: 97-4100A-18-4P(621)

    Amphenol connector,metal circ,wall recept,size 18,for 4#16 crimp pin contact,black finish, MPN: 97-4100A-18-4P(621)

    Amphenol connector,metal circ,wall recept,size 18,for 4#16 crimp pin contact,black finish.

    • Pimoroni Touch:Bit Touch Controller-Platine, MPN: PIM401

    Pimoroni Touch:Bit Touch Controller-Platine, MPN: PIM401

    Pimoroni Touch:Bit Touch Controller-Platine.

    • Eclipse Neodym Magnet, Scheibe, 12mm, 1.51kg x 2mm, L. 2mm

    Eclipse Neodym Magnet, Scheibe, 12mm, 1.51kg x 2mm, L. 2mm

    2mm, Befestigungstyp: Kein, MPN: N827.Eclipse Neodym Magnet, Scheibe, 12mm, 1.51kg x 2mm, L.

    • KEMET ALC80 Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 820μF ±20% / 200V dc, Ø 30mm x 40mm, bis 105°C
    • ebm-papst DC-Axiallüfter, Kugellager, 48 V dc / 275W, 225 x 225 x 89mm, 4875U/min, 1475m³/h, Breite: 225mm, Strom max.: 5.8A, Anschlusstyp: Leiter, Geräuschpegel: 85dB, Krümmungsrichtung: Vorwärts, Schutzart: IP44, MPN: K3G200-BD64-04
    • Eaton RMQ Titan Schlüsselschalterkopf 22.5mm 2 Positionen Dauerschaltung, MPN: 111775 M22-WRS-MS10

    Eaton RMQ Titan Schlüsselschalterkopf 22.5mm 2 Positionen Dauerschaltung, MPN: 111775 M22-WRS-MS10

    Eaton RMQ Titan Schlüsselschalterkopf 22.5mm 2 Positionen Dauerschaltung.

    • Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
    • Eaton RMQ Titan Schlüsselschalterkopf 22.5mm 2 Positionen Dauerschaltung, MPN: 111775 M22-WRS-MS10

    Eaton RMQ Titan Schlüsselschalterkopf 22.5mm 2 Positionen Dauerschaltung, MPN: 111775 M22-WRS-MS10

    5mm 2 Positionen Dauerschaltung.Eaton RMQ Titan Schlüsselschalterkopf 22.

    • Vishay Siliconix TrenchFET SQS944ENW-T1_GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V