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Nexperia BC856BS,115 SMD, PNP Transistor Dual -65 V / -100 MA, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

About The .: 300 mW, Gleichstromverstärkung min

Nexperia BC856BS,115 SMD, PNP Transistor Dual -65 V / -100 mA, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 200, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: -80 V, Basis-Emitter Spannung max.: -6 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1.1mm, Länge: 2.2mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Nexperia BC856BS,115 SMD, PNP Transistor Dual -65 V / -100 MA, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

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Specifications of Nexperia BC856BS,115 SMD, PNP Transistor Dual -65 V / -100 MA, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

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Nexperia BC856BS,115 SMD, PNP Transistor Dual -65 V / -100 MA, SOT-363 (SC-88) 6-Pin
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STMicroelectronics THT Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 150V / 30A, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 220A, MPN: STPS30150CW
    • Panasonic Mikroschalter Rollenhebel simuliert-Betätiger Lötanschluss, 100 mA @ 30 V dc, 1-poliger Wechsler 0,29 N -25°C, Betriebstemperatur max.: +80°C, Kontaktmaterial: Vergoldet, Lebensdauer mechanisch: 3 x 10^5Operations, Betriebstemperaturbereich: -25 → +80°C, MPN: AV404461
    • Bourns SMD Sicherung, rückstellend / 600mA, 60V 3s 0.3A 40 A max. 7.4mm 13.4mm 3.1mm

    Bourns SMD Sicherung, rückstellend / 600mA, 60V 3s 0.3A 40 A max. 7.4mm 13.4mm 3.1mm

    1mm, Minimaler Widerstand: 0.4mm 3.Bourns SMD Sicherung, rückstellend / 600mA, 60V 3s 0.76Ω, Maximaler Widerstand: 2.

    • FIBET Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer Bohrung 10mm M10, Ø 40mm, Stauchlast: 90.5daN, Fußform: Zylindrisch, MPN: F4025VV25-45
    • FIBET Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer Bohrung 10mm M10, Ø 40mm, Stauchlast: 90.5daN, Fußform: Zylindrisch, MPN: F4025VV25-45